Abscheidung

Die Beschichtung von Silizium- oder Glas-Wafern erfolgt durch chemische Gasphasenabscheidung. Der englische Fachbegriff lautet 'Chemical Vapor Deposition' oder kurz: CVD. Mit diesem Verfahren lassen sich reine, leistungsstarke und feste Materialien abscheiden.

Die Schichten werden sowohl bei MEMS Bauteilen als auch bei mikrofluidischen Anwendungen eingesetzt und im weiteren Verlauf strukturiert.

Folgende Technologien finden Anwendung

Plasmabeschichtung – PECVD

  • Oxid (LF/HF)
  • Nitrid (LF/HF)
  • Siliziumoxinitrid (einstellbarer Brechungsindex, einstellbare Schichtspannung)

Ofenprozesse

  • Nassoxidation
  • Trockenoxidation
  • Annealing
  • Dotierungsprozesse
  • Stöchiometrisches Nitrid
  • Stressarmes Nitrid
  • LPCVD (LTO, PSG, TEOS)
  • LPCVD Polysilizium

Technische Details

Technische Details

  • Schichtdicken von wenigen nm bis zu 15 µm
  • Brechungsindex kontrolliert
  • Stress einstellbar

Anwendungen

Anwendungen

  • Wellenleiter mit hohem Kontrast
  • Mechanische Schutzschichten
  • Chemische Schutzschichten (Passivierung)
  • Elektrische und thermische Isolation
  • Masken für Nassätzen mit KOH und TMAH
  • Masken für Trockenätzen / DRIE
  • Membranen (10 nm ... 1 µm)

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